trench工艺与sgt工艺优缺点
优点1、VDMOS纯平面工艺就好比我们小时候的土屋,几乎不需要挖地基纯平面架构特点:成本高,雪崩强,内阻抗大,ESD能力强,属于纯力量型选手。2、Trench工艺,俗称潜沟槽工艺,就好比我们农村的楼房,需要挖地基到一定深度,同样的使用...
优点1、VDMOS纯平面工艺就好比我们小时候的土屋,几乎不需要挖地基纯平面架构特点:成本高,雪崩强,内阻抗大,ESD能力强,属于纯力量型选手。2、Trench工艺,俗称潜沟槽工艺,就好比我们农村的楼房,需要挖地基到一定深度,同样的使用...