需要3年左右
中国想要生产5nm的光刻机有一个最大的难点，就是自主研发。这不光意味着我们需要跨越从28nm到5nm这个巨大的障碍，并且在突破的过程中最好不要使用其他国家的专利，只能发展出一条属于自己的光刻机道路。
14nm的光刻机这一两年就好了，这样解决了目前紧追的量产芯片问题，接下来用五年左右的时间突破5nm光刻机，逐步赶超美国，大约用十至二十年时间达到世界先进水平
预计2021-2022年交付第一台28nm工艺的国产沉浸式光刻机。配合中芯国际对晶圆代工、封测技术的积淀，足以可见中国半导体技术的飞跃式发展。
