90纳米。封装光刻机在国内市场已占据不小的份额，这是国产光刻机取得的进步。光刻机的最小分辨率、生产效率、良率均在不断发展。 光刻机的最小分辨率由公示 R=kλ/NA，其中 R 代表可分辨的最小尺寸，对于光刻技术来说R 越小越好，k 是工艺常数，λ 是光刻机所用光源的波长。光刻机最小尺寸当然是EUV啦，目前fab在用的3400。一维线条是间距24nm，密集孔洞是间距28nm。对比过去DUV极限是间距76nm，效果拔群
