ald工艺和pecvd工艺的对比
ALD工艺直接在芯片表面堆积材料，一次沉积单层薄膜几分之一的厚度，以尽可能生成最薄、最均匀的薄膜。工艺的自限特性以及共形沉积的相关能力，是其成为微缩与3D技术推动因素的基础。自限式表面反应让原子级沉积控制成为可...
关于pecvd的时尚精选
pecvd工序高温危险源有哪些
• 危险特性：易燃，与空气混合能形成爆炸性混合物，遇明火、高热能引起燃烧、爆炸，与氟、氯等接触会发生剧烈的化学反应，若遇高热，容器内压增大，有开裂和爆炸的危险。危险类别：易燃易爆预防措施：不要在VMB附近逗留或倚靠，更不...