irf5210s三极管参数
 irf5210s三极管参数: 系列:HEXFET®FET类型:P通道漏源电压(Vdss):100V25°C时电流-连续漏极(Id):38A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):60毫欧@38A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V@250µA不...
 irf5210s三极管参数: 系列:HEXFET®FET类型:P通道漏源电压(Vdss):100V25°C时电流-连续漏极(Id):38A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):60毫欧@38A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V@250µA不...