位移常数和高场低场的关系

位移常数和高场低场的关系

化学位移中数字越大是低场,不是高场。因为低场矢量为0的分力越小,而分力越小,越容易产生位移,所以化学位移中数字越大是低场。

核磁共振中,化学位移本身是有单位的,其单位是Hz,之所以最终没有单位,是因为我们常说的化学位移指的是化学相对位移。例如,当使用200MHz的NMR时,某个位移值为200Hz,这时就采用相对位移,用200Hz去除以200MHz,得到的是百万分之一,也就是1ppm

之所以这么表示是因为,位移值会随着机器的不同而改变,例如,在400MHz的NMR下,位移值是400Hz,只是相对位移不变,仍然是1ppm

由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应,因此在核磁共振谱的不同位置上出现吸收峰。

某一物质吸收峰的位置与标准质子吸收峰位置之间的差异称为该物质的化学位移(chemicalshift),常以δ表示。

扩展资料:

化学位移的差别约为百万分之十,难以精确测得数值。现采用相对数值表示法,即选用一个标准物质,以该标准物的共振吸收峰所处位置为零点,其它吸收峰的化学位移值根据这些吸收峰的位置与零点的距离来确定。最常用的标准物质是四甲基硅TMS(tetramethylsilicon)。

TMS作为标准物,是因为TMS中的四个甲基对称分布,因此所有氢都处在相同的化学环境中,它们只有一个锐利的吸收峰。另外,TMS的屏蔽效应很高,共振吸收在高场出现,而且吸收峰的位置处在一般有机物中的质子不发生吸收的区域内。

目前,文献资料中的化学位移值普遍采用无量纲的δ值表示,其定义为:

四甲基硅吸收峰的δ值为零,其右边的δ值为负,左边δ值为正。

化学位移中数字越大是低场,不是高场。因为低场矢量为0的分力越小,而分力越小,越容易产生位移,所以化学位移中数字越大是低场。