igbt导通条件电压

不同的IGBT导通压降都不一样，例如 低损耗的大于典型值为1.7~2.1V左右， 快速型 导通压降大约2.7~3.7V左右。ⅠGBT是场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE(th)时，IGBT就可以导通当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。