一、TFT-LCD的制造工艺流程有以下几部分
①、在TFT基板上形成 TFT 阵列
②、在彩色滤光片基板上形成彩色滤光图案及 ITO 导电层
③、用两块基板形成液晶盒
④、安装外围电路、组装背光源等的模块组装。
二、在 TFT基板上形成TFT阵列的工艺
现已实现产业化的 TFT 类型包括：非晶硅 TFT （ a-Si TFT ）、多晶硅 TFT （ p-Si TFT ）、单晶硅 TFT(c-Si TFT) 几种。目前使用的仍是 a-Si TFT 。
a-Si TFT的制造工艺如下：
①、先在硼硅玻璃基板上溅射栅极材料膜，经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案。一般掩膜曝光用步进曝光机。
②、用 PECVD 法进行连续成膜，形成 SiNx 膜、非掺杂 a-Si 膜，掺磷 n+a-Si 膜。然后再进行掩膜曝光及干法蚀刻形成 TFT 部分的 a-Si 图案。
③、用溅射成膜法形成透明电极（ ITO 膜），再经掩膜曝光及湿法蚀刻形成显示电极图案。
④、栅极端部绝缘膜的接触孔图案形成则是使用掩膜曝光及干法蚀刻法。
⑤、将 AL 等进行溅射成膜，用掩膜曝光、蚀刻形成 TFT 的源极、漏极以及信号线图案。用 PECVD 法形成保护绝缘膜，再用掩膜曝光及干法蚀刻进行绝缘膜的蚀刻成形， ( 该保护膜用于对栅极以及信号线电极端部和显示电极的保护 ) 。
TFT阵列工艺是 TFT-LCD制造工艺的关键 ， 也是设备投资很多的部分，整个工艺要求在很高的净化条件（例如 10 级）下进行。
三、 在彩色滤光片（ CF ）基板上形成彩色滤光图案的工艺
彩色滤光片着色部分的形成方法有染料法、颜料分散法、印刷法、电解沉积法、喷墨法。目前以颜料分散法为主。
颜料分散法的是将颗粒均匀的微细颜料（平均粒径小于 0.1 μ m ） (R 、 G 、 B 三色 ) 分散在透明感光树脂中。然后将它们依次用涂敷、曝光、显影工艺方法，依次形成 R. G. B 三色图案。在制造中使用光蚀刻技术，所用装置主要是涂敷、曝光、显影装置。
为了防止漏光，在 RGB 三色交界处一般都要加黑矩阵（ BM ）。以往多用溅射法形成单层金属铬膜，现在也有改用金属铬和氧化铬复合型的 BM 膜或树脂混合碳的树脂型 BM 。
此外，还需要在 BM 上制作一层保护膜及形成 IT0 电极 ， 由于带有彩色滤光片的基板是作为液晶屏的前基板与带有 TFT 的后基板一起构成液晶盒。所以必须关注好定位问题，使彩色滤光片的各单元与 TFT 基板各像素相对应。
