钉扎效应

是指费米能级不随掺杂等而发生位置变化的效应，费米能级钉扎效应是半导体物理中的一个重要概念。反磁化核在外磁场作用下长大成为反磁化畴，然后通过畴壁位移实现反磁化。

产生反磁化核的地方一般是晶体缺陷、掺杂物等，缺陷数目、掺杂物等越多，反磁化核越容易形成，矫顽力也就越低。

但从另外一方面来看缺陷对畴壁还具有一定的钉扎作用，阻碍畴壁位移的进行。