优点是 耐压高，临界击穿电场高达2MV/cm(4H-SiC)，因此具有更高的耐压能力(10倍于Si)。散热容易，由于SiC材料的热导率较高(是Si的三倍)，散热更容易，器件可工作在更高的环境温度下。
缺点是理论上，SiC功率器件可在175℃结温下工作，因此散热器的体积可以显著减小。由于它的金属-半导体结，当电压反向连接时，更容易产生泄漏电流。此外，肖特基二极管往往具有较低的最大反向电压。它们的最大值往往为50V或更低
优点是 耐压高，临界击穿电场高达2MV/cm(4H-SiC)，因此具有更高的耐压能力(10倍于Si)。散热容易，由于SiC材料的热导率较高(是Si的三倍)，散热更容易，器件可工作在更高的环境温度下。
缺点是理论上，SiC功率器件可在175℃结温下工作，因此散热器的体积可以显著减小。由于它的金属-半导体结，当电压反向连接时，更容易产生泄漏电流。此外，肖特基二极管往往具有较低的最大反向电压。它们的最大值往往为50V或更低
