一、定义
第三代半导体，就是以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）和金刚石为代表的半导体材料，其中技术较为成熟、应用较多的主要是氮化镓和碳化硅。它是一种常温下导电性介于导体和绝缘体之间的材料。
二、特点
第三代半导体材料禁带宽度更宽、导热系数高、抗辐射性能好、电子饱更大和漂移速率更高。
三、应用
第三代半导体材料具有较好的电子密度和运动控制能力，更适用于制造高温、高频、抗辐射和大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。目前，市场热点5G基站、新能源车和快速充电是第三代半导体的重要应用场所。
