隧道二极管（TunnelDiode）又称为江崎二极管，它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。
隧道二极管是采用砷化镓（GaAs）和锑化镓（GaSb）等材料混合制成的半导体二极管，其优点是开关特性好，速度快、工作频率高缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。
它的工作符合发生隧道效应具备的三个条件：
①费米能级位于导带和满带内
②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。
隧道二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标"P"代表"峰"而下标"V"代表"谷"。简单地说，所谓"遂道效应"就是指粒子通过一个势能大于总能量的有限区域。
这是一种量子力学现象，按照经典力学是不可能出现的。隧道二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。硬之城上面应该有这个，可以去看看有没有教程之类的，因为毕竟上面的技术资料型号等都很全面也是最新的，所以能解决很多问题。
