帕尔帖效应，是由法国物理学家Jean Charles Athanase Peltier在1834年首次发现的。
帕尔贴效应原理：当有电流通过不同的导体组成的回路时，除产生不可逆的焦耳热外，在不同导体的接头处随着电流方向的不同会分别出现吸热、放热现象，当改变电流方向时，放热和吸热的接头也随之改变，吸收和放出的热量与电流强度成正比，且与两种导体的性质及热端的温度有关，即： Qab=Iπab
根据珀耳帖效应可以制造半导体制冷元件。珀耳帖效应、塞贝克效应和 汤姆孙效应(Thomson effect)三者合称热电效应。
帕尔贴效应是指当有电流通过不同的导体组成的回路时，除产生不可抄逆的焦耳热外，在不同导体的接头处随着电流方向的不同会分别出现吸热、放热现象。
这是J.C.A.珀耳帖在1834年发现的。
如果电流通过导线由导体1流向导体2，则在单位时间内，导体1处单位面积吸收的热量与通过导体1处的电流密度成正比。
简单可以理解为：外加电场作用下，电子发生定向运动，将一部分内能带到电场另一端。
半导知体制冷原理是当一块N型半导体材料和一块P型半导体材料联结成的热电偶对中有电流通过时，两端之间就会产生热量转移，热量就会从一端转移到另一端，从而产生温差形成冷热端。但是半导体自身存在电阻当电流经过半导体时就会产生热量，从而会影响热传递。而且两个极板之间的热量也会通过空气和半导体材料自身进行逆向热传递。当冷热端达到一定温差，这两种热传递的量相等时，就会达到一个平衡点，正逆向热传递相互抵消。此时冷热端的温度就不会继续发生变化。为了道达到更低的温度，可以采取散热等方式降低热端的温度来实现。
